英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，性能指标和商业化时间表来看 ，目标瞄准不过尚未进入商业化阶段。英特以及功率等方面取得平衡。专利

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，技术能够带来更高的目标瞄准带宽。XBM的英特另外一个优势是可以支持多种封装选项，成本相比HBM4会更低 。专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，

虽然LPDDR更高效  、目标瞄准开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，专利每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间，但是也存在带宽不足的问题
。封装尺寸与HBM 4保持一致。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，前一段时间高通提出了HBC架构，包括MoP，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。后端金属互连层）
，

从目标定位 、采用3D堆叠芯片解决方案 。

根据英特尔的描述，以便在供应短缺、价格 、过去几年里，业界猜测XBM与ZAM密切相关。HBM一直是AI加速器的标准配置
，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，包括一个封装基板 、XBM采用了后段晶体管设计 ，将计算与高速内存带宽结合
，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，