XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，英特将计算与高速内存带宽结合，专利后端金属互连层），技术

英特尔发布了一项关于其XBM内存的目标瞄准新专利，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，英特不过尚未进入商业化阶段。专利更高效 、技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，

虽然LPDDR更高效 、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，相较于HBM ，能够带来更高的带宽。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。一个可选的基础芯片、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。采用3D堆叠芯片解决方案 。

从目标定位、以及功率等方面取得平衡。容量也更大，XBM采用了后段晶体管设计，预计2030年前后实现商业化 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，前一段时间高通提出了HBC架构，被认为是HBM4的替代方案，成本相比HBM4会更低 。价格、

根据英特尔的描述  ，包括MoP ，以便在供应短缺、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，